Samsung မှ 3nm ချစ်ပ်များကို လာမည့်ရက်သတ္တပတ်များအတွင်း ထုတ်လုပ်တော့မည်

Samsung ဟာ ၂၀၂၂ခုနှစ်ပထမ၆လအတွင်း သူ့ရဲ့ 3nm process node (3AGE) ကိုအမြောက်အမြားထုတ်လုပ်သွားမှာ ဖြစ်ပြီး ၂၀၂၃ခုနှစ်ထဲမှာ ဒုတိယမျိုးဆက် node လည်းထွက်ရှိလာမယ့်အစီအစဉ်ကိုထုတ်ဖော်ပြသခဲ့ပါတယ်။ ဒီအပတ်ထဲမှာ ကုမ္ပဏီဟာ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံသူတွေကို အမြောက်အမြားထုတ်လုပ်နိုင်မယ့် လမ်းကြောင်းပေါ်မှာရောက်ရှိပြီးဖြစ်ကြောင်း ပြောကြားခဲ့ပါတယ်။

ဒါဟာ တောင်ကိုးရီးယားကုမ္ပဏီကြီးအနေနဲ့ ဒီလိုအသေးစိတ်လှတဲ့ 3nm process ကို အောင်မြင်စွာထုတ်လုပ်နိုင်သူဖြစ်ကြောင်း ပြသနိုင်မှာဖြစ်ပြီး ပထမဆုံး‌ gate-all-around-field-effect transistors (GAAFET) ကိုအသုံးချလာနိုင်သူဖြစ်လာမှာပါ။ Samsung ဟာ သူ့ရဲ့ 3nm GAAFET transistors တွေကို multi-bridge-channel field-effect transistors (MBCFET) လို့ခေါ်ဆိုပါတယ်။

MBCFET ဟာ 0.7V အောက်မှာ အားလုံးလုပ်နိုင်စွမ်းရှိတာကြောင့် 7nm FinFET ထက် အားသာချက်တွေအများကြီးရှိတယ်လို့ဆိုပါတယ်။ ဒါ‌တွေကတော့စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု ၅၀ ရာခိုင်နှုန်းပိုမိုလျော့နည်း စွမ်းဆောင်ရည် ၃၀ ရာခိုင်နှုန်းပိုမိုကောင်းမွန်မှုနဲ့ နေရာယူမှု ၄၅ ရာခိုင်နှုန်းအထိ ပိုမိုလျော့နည်းတယ်လို့ဆိုပါတယ်။

ထရန်စ္စတာသိပ်သည်းမှုပိုင်းမှာ‌ Intel 4 နဲ့ TSMC 5N တို့နဲ့အတူတူလောက်ဖြစ်ပြီး ပိုမိုကျယ်ပြန့်တဲ့ channel နဲ့ current leakage ပိုနည်းတာ‌မို့ စွမ်းဆောင်ရည်ပိုကောင်းတယ်လို့ဆိုပါတယ်။ Samsung အတွက် MBCFET ကိုထုတ်လုပ်ရတာ FinFET ထုတ်လုပ်တဲ့ process တွေနဲ့ကိုက်ညီမှုရှိတာကြောင့် ဖန်တီးမှုအချိန်တိုတောင်းစေခဲ့သလို စားရိတ်လည်းသက်သာစေခဲ့တယ်လို့ဆိုပါတယ်။

Samsung ဟာ ယခုနှစ်ပထမ ၃လပတ်အတွင်း ချစ်ပ်တွေ ထုတ်လုပ်နိုင်သလောက်ရောင်းချခဲ့ရပြီး လမယ့်လတွေအတွင်း DRAM နဲ့ NAND product တွေလည်း ရောင်းအားကောင်းတွေဦးမယ်လို့ မျှော်လင့်ထားပါတယ်။ ကုမ္ပဏီဟာ ပထမ၃လအတွင်း ကိုရီးယားဝမ်ငွေ ၁၄.၁ ထရီလီယံ (ဒေါ်လာ ၁၁.၂ဘီလီယံ) စံချိန်တင်ရရှိခဲ့ပြီး တစ်ဝက်ကျော်လောက် (ဒေါ်လာ ၆.၇ဘီလီယံ) ဟာ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ရေးကရရှိခဲ့တာဖြစ်ပါတယ်။

Source: Techspot

#EnThueTech
#News
#Semiconductors