Memory Module တစ်ခုတွင် 512 Gb အထိ ပါဝင်လာနိုင်မည့် NEO Semiconductor ၏ 3D X-DRAM နည်းပညာသစ်

Image: Neo Semiconductor

NEO Semiconductor ကုမ္ပဏီက DRAM memory နယ်ပယ်မှာ လုံးဝဥဿုံပြောင်းလဲနိုင်ခြေရှိတဲ့ နည်းပညာအသစ်တစ်ခုကို ကြေညာလိုက်ပါတယ်။ မနေ့က အဆိုပါကုမ္ပဏီက 3D X-DRAM cell ဒီဇိုင်းအသစ်နှစ်မျိုးဖြစ်တဲ့ 1T1Cနဲ့ 3T0C တို့ကို ထုတ်ဖော်ပြသခဲ့ပါတယ်။ 1T1C ဒီဇိုင်းက Transistor ၁ခုနဲ့ capacitor ၁ခုသုံးထားတဲ့ဒီဇိုင်းဖြစ်ပြီး 3T0C ကတော့ transistor ၃ခုသုံးပြီး capacitor မပါတဲ့ ဒီဇိုင်းတွေဖြစ်ကာ အဆိုပါဒီဇိုင်ရဲ့ နမူနာ စမ်းသပ် chip တွေကိုတော့ ၂၀၂၆ ခုနှစ်မှာ ထုတ်လုပ်နိုင်ဖို့ မျှော်မှန်းထားပါတယ်။ ဒီ chip တွေက သာမန် DRAM module တွေထက် သိုလှောင်နိုင်စွမ်း ၁၀ ဆ ပိုများမှာဖြစ်ပါတယ်။

NEO ကုမ္ပဏီရဲ့ ရှိရင်းစွဲ 3D X-DRAM နည်းပညာကို အခြေခံထားတဲ့ ဒီ cell အသစ်တွေဟာ module တစ်ခုတည်းမှာ 512 Gb (64 GB) အထိ သိုလှောင်နိုင်တယ်လို့ ဆိုပါတယ်၊ ဒါဟာ လက်ရှိဈေးကွက်ထဲမှာရှိတဲ့ ဘယ် module တွေထက်မဆို အနည်းဆုံး ၁၀ ဆ ပိုများတဲ့ပမာဏပါ။ NEO ရဲ့ စမ်းသပ်ချက်တွေအရ read/write speed က 10 nanosecond ရှိပြီး၊ retention time ဆိုတဲ့ အချက်အလက်ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ချိန်ကတော့ ၉ မိနစ်ကျော်အထိ ရှိတယ်လို့ သိရပါတယ်။ ဒီစွမ်းဆောင်ရည်နှစ်ခုလုံးက လက်ရှိ DRAM နည်းပညာတွေထဲမှာ ထိပ်တန်းအဆင့်မှာ ရှိနေပါတယ်။

1T1C နဲ့ 3T0C cell တွေကို display နည်းပညာတွေမှာ ပိုပြီးလူသိများတဲ့ indium gallium zinc oxide (IGZO) ဆိုတဲ့ ပုံဆောင်ခဲကို အခြေခံပြီး ဒီဇိုင်းထုတ်ထားတာကြောင့် 3D NAND နည်းပညာလိုပဲ အလွှာလိုက်ထပ်ဆင့်ပြီး တည်ဆောက်နိုင်မှာပါ။ ဒီလို အလွှာလိုက်တည်ဆောက်မှုက သိုလှောင်နိုင်စွမ်းနဲ့ ဒေတာပို့လွှတ်နိုင်စွမ်း (throughput) ကို တိုးတက်စေတဲ့အပြင် ပါဝါသုံးစွဲမှုကိုလည်း သက်သာစေမှာ ဖြစ်ပါတယ်။ ဒီ cell တွေကို ပြုပြင်ပြောင်းလဲထားတဲ့ 3D NAND ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းနဲ့ ဒီဇိုင်းထုတ်ထားတာကြောင့် လက်ရှိ 3D NAND ထုတ်လုပ်ရေးစက်ရုံတွေအနေနဲ့ အဆိုပါဒီဇိုင်းအသစ်တွေ ထုတ်လုပ်နိုင်ဖို့ လျင်မြန်လွယ်ကူစွာ အဆင့်မြှင့်တင်နိုင်လိမ့်မယ်လို့ NEO က မျှော်လင့်ထားပါတယ်။

NEO ကုမ္ပဏီရဲ့ CEO ဖြစ်သူ Andy Hsu က "1T1C နဲ့ 3T0C 3D X-DRAM တွေကို မိတ်ဆက်ခြင်းနဲ့အတူ၊ ကျနော်တို့ဟာ memory နည်းပညာလောကမှာ ဘာတွေဖြစ်နိုင်ခြေရှိသလဲဆိုတာကို အဓိပ္ပာယ်အသစ်ဖွင့်ဆိုလိုက်တာပါပဲ" လို့ ပြောကြားခဲ့ပါတယ်။ "ဒီတီထွင်မှုက လက်ရှိ DRAM တွေရဲ့ သိုလှောင်နိုင်စွမ်း တိုးချဲ့လို့မရတော့တဲ့ ကန့်သတ်ချက်တွေကို ကျော်လွှားနိုင်စေပြီး NEO ကုမ္ပဏီကို မျိုးဆက်သစ် memory နည်းပညာမှာ ဦးဆောင်သူအဖြစ် ရပ်တည်စေမှာပါ" လို့လည်း သူက ဆိုပါတယ်။

CEO တစ်ယောက်ရဲ့ တော့ သူ့ကုမ္ပဏီရဲ့အနာဂတ်အတွက် အကောင်းမြင်တဲ့မှတ်ချက်တွေပေးလေ့ရှိကြပေမယ့် ဒီတစ်ခေါက်မှာတော့ Hsu ပြောတာ မှန်နိုင်ပါတယ်။ 1T1C ဒီဇိုင်းက NEO ရဲ့ အရင်တီထွင်မှုတွေဖြစ်တဲ့ AI နဲ့ HPC တွေအတွက် သီးသန့်ထုတ်လုပ်ထားတဲ့ 3D X-AI နည်းပညာလို အသုံးပြုသူနည်းပါးတဲ့ နည်းပညာတွေထက် DRAM ကို တကယ် အစားထိုးနိုင်တဲ့ အခွင့်အလမ်းတွေ ပိုများပါတယ်။

NEO Semiconductor အနေနဲ့ 1T1C၊ 3T0C နဲ့ သူတို့ရဲ့ တခြား 3D X-DRAM နဲ့ 3D NAND နည်းပညာမိသားစုတွေအကြောင်းကို ဒီလ (၂၀၂၅ ခုနှစ်၊ မေလ) မှာကျင်းပမယ့် IEEE IMW ပွဲမှာ ပိုမိုအသေးစိတ် ဝေမျှသွားဖို့ ရှိနေပါတယ်။ FeRAM ကိုအခြေခံတဲ့ DRAM+ လိုမျိုး နည်းပညာတွေနဲ့ ကုမ္ပဏီတွေကလည်း DRAM နည်းပညာရဲ့ နောက်တစ်ဆင့်ဖြစ်လာဖို့ ကြိုးစားယှဉ်ပြိုင်နေကြသလို၊ SK hynix လိုမျိုး နာမည်ရ ကုမ္ပဏီကြီးတွေကလည်း လက်ရှိ standard DRAM တွေကိုပဲ အရွယ်အစား ပိုကြီးအောင် ဆက်လက်ထုတ်လုပ်နေတာကြောင့် 3D X-DRAM အနေနဲ့ အတော်လေး ပြင်းထန်တဲ့ ပြိုင်ဆိုင်မှုကို ရင်ဆိုင်ရမှာပါ။ ဒါပေမဲ့ module တစ်ခုမှာ 512 Gb ပါဝင်မယ်ဆိုတဲ့ ကတိကဝတ်ကတော့ လူတွေရဲ့အာရုံကို တကယ်ဖမ်းစားနိုင်လောက်ပါတယ်။

Source: Tom's Hardware